Новая флэш-память NAND прокладывает путь к сверхдешевым и сверхбольшим твердотельным накопителям

Новая флэш-память NAND прокладывает путь к сверхдешевым и сверхбольшим твердотельным накопителям

7 августа 2022 г.

SK hynix разработала новую флэш-память 4D NAND с огромными 238 слоями, проложив путь к новым быстрым и емким SSD, объявила компания.

Представленный на сцене Саммита флэш-памяти в Санта-Кларе, новый чип памяти описывается как «первый в мире 238-слойная TLC 4D NAND емкостью 512 Гбит/с и, как ожидается, поступит в массовое производство в первой половине 2023 года. 

По сравнению с предыдущей 176-слойной моделью новая NAND обеспечивает на 50 % более быструю передачу данных. скорости (2,4 Гбит/с), на 21% выше энергоэффективность при чтении данных и на 34% выше общая производительность.

Появление 238-слойного продукта позволит SK hynix установить мировой рекорд самый высокий стек NAND от конкурирующего производителя Micron, чья последняя модель имеет всего 232 слоя.

238-слойная флэш-память 4D NAND

Флэш-память NAND — это тип энергонезависимой памяти, которая используется во всех типах устройств хранения данных, начиная с . карты памяти, USB-накопители и портативные диски на SSD для серверы и клиентские устройства.

Общая тенденция развития флэш-памяти NAND направлена снижение затрат на емкость и увеличение плотности хранения, что эффективно устраняет последние оставшиеся варианты использования традиционных жесткие диски. Появление 238-слойного продукта от SK hynix знаменует собой еще один шаг на этом пути.

В отличие от других продуктов NAND на рынке, последние чипы в ассортименте компании имеют архитектуру «4D», в которой логика цепи размещены под ячейками хранения. SK hynix заявляет, что такая конструкция позволяет «уменьшить площадь ячеек на единицу продукции, что приводит к более высокой эффективности производства».

«SK hynix обеспечила конкурентоспособность на мировом уровне с точки зрения стоимости, производительности и качества, представив 238-слойный продукт на основе своих технологий 4D NAND, — сказал Юнгдал Чой, руководитель отдела разработки NAND в SK hynix.

Возможно, вопреки ожиданиям, новая 238-слойная память NAND сначала появится на клиентских устройствах, что порадует создателей контента и компьютерных геймеров. Лишь позже новый чип появится на смартфонах и серверах большой емкости.

SK hynix также сообщила, что разрабатывает 238-слойный продукт емкостью 1 ТБ, который удвоит плотность хранения по сравнению с последним чипом, когда он появится в следующем году. "Мы продолжим внедрять инновации, чтобы решать технологические задачи", – добавил Чой.

Через Блоки и файлы


Оригинал
PREVIOUS ARTICLE
NEXT ARTICLE